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Ziehen oder Sägen – ein SystemvergleichDeprecated: Function ereg() is deprecated in /var/www/vhosts/solarenergie.com/httpdocs/includes/joomla.php on line 3770
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| Geschrieben von Jörn Iken | |
| Monday, 04 December 2006 | |
 Am Anfang werden die Weichen gestellt: Bereits die Waferfertigung legt Kosten und elektrische Eigenschaften einer Solarzelle fest. Die Welt ist eine Scheibe – zumindest gilt dies für die Welt der Photovoltaik. Wafer sind der Anfang und zunehmend auch – dem Recycling sei Dank – die Reinkarnation einer Solarzelle.
Die grauen Scheiben haben, wenn sie die Waferproduzenten verlassen, mit 55 % bereits über die Hälfte der Modulkosten verursacht. Sie haben auch die meisten elektrischen Qualitäten einer Solarzelle unwiderruflich fixiert – Schwächen in der Waferfertigung sind durch die weiteren Verfahrensschritte der Solarzellenfertigung nur schwer oder gar nicht auszugleichen. Umso erstaunlicher mutet es an, dass in der Photovoltaik zwei grundsätzlich unterschiedliche Verfahren Anwendung finden, die sich im Endergebnis um bis zu 1 % absolut im Wirkungsgrad unterscheiden: Sägen und Ziehen, oft auch – nicht ganz korrekt – Czochralski und EFG genannt. Anlass genug, sich intensiver mit der im großtechnischen Umfang angewandten Waferproduktion zu befassen.
Die Ingots, die den Schmelzofen verlassen, haben ein Gewicht von 270 bis 300 kg. »Der Trend geht aber stark in Richtung 400 kg, weil daraus mehr Blöcke zu schneiden sind«, beschreibt Stefan Thiel, Vertriebsleiter der PV Silicon AG die aktuelle Entwicklung. Dabei ist die Frage noch nicht entschieden, ob die Ingots dadurch höher oder breiter werden sollen. »Beides hat Vor- und Nachteile«, sagt Thiel: »Die Frage ist, bei welcher Form mehr Verunreinigungen im Material zu erwarten sind. Geht man in die Höhe, könnten die Verluste durch Top-and-Tails relativ geringer sein. Geht man in die Breite, dann eventuell aber auch relativ geringer, weil die Verunreinigungen auch aus der Tiegeloberfläche herrühren. Das muss noch untersucht werden.«
Die Quadrierung ist ein Eingriff mit Folgen. Sie macht aus dem ursprünglich runden monokristallinen Ingot einen quadratischen mit abgerundeten Ecken und aus dem eckigen multikristallinen Groß-Ingot 16 oder 25 Blöcke mit quadratischem Querschnitt. Da anschließend die Blöcke quer zur Längsrichtung in Wafer zerteilt werden, handelt es sich bei den Quadrierungs-Sägeflächen also um die Kantenflächen der zukünftigen Wafer. Mit fatalen Folgen, denn jede Sägerei geht bis zu einer gewissen Eindringtiefe an die Substanz des Wafers – sie produziert beispielsweise kleine Risse. Genau diese Risse aber gefährden weit mehr als andere die Stabilität des Wafers. »Eine Überbeanspruchung vorausgesetzt, führen nämlich die langen Rissen an den Kanten des Wafers zum Bruch«, erklärt Alexander Lawerenz, der zurzeit das Solarzentrum Erfurt, ein Fachbereich des CIS Institutes für Mikrosensorik gGmbH, kommissarisch leitet und mit seinen Mitarbeitern die Vorgänge beim Sägen der Blöcke und der Wafer untersucht hat. Silizium ist ein äußerst sprödes Material. Anders als bei Metallen pflanzt sich ein Riss im Material nicht langsam fort. »Silizium kennt keinen Ermüdungseffekt, sondern versagt plötzlich und komplett«, fährt Lawerenz fort. Risse bekommt der Wafer zwar auch durch das eigentliche Sägen der Einzelscheiben, also auf der Wafervor und - rückseite, aber entscheidend für das plötzliche Versagen beim Handling in der Zellenproduktion sind die Kantenrisse. Waferhersteller sind deshalb bemüht, die Einwirkungen des Quadrierungssägens zu beseitigen. Wie? Hier schweigen die Fachleute. Es ist davon auszugehen, dass sowohl an den Sägeparametern gedreht als auch aufwändig nachgearbeitet wird – hier bieten sich alle oberflächenverbessernden Verfahren wie Läppen, Schleifen oder Ätzen an.
Die so behandelten Blöcke sind nun bereit zum Scheibensägen. Bei PV Silicon kleben jetzt Produktionshelfer die Si-Blöcke auf rechteckige Glasscheiben. Sie stabilisieren die Wafer im Sägeprozess und halten insbesondere die Einzelwafer, wenn sie fertig gesägt aus der Maschine kommen. Nachdem der Klebstoff durch eine Infrarotbehandlung ausgehärtet ist, werden die Sägemaschinen mit jeweils acht Blöcken bestückt und der Sägedraht in das Rollensystem eingefädelt. Der Draht ist mit etwa 140 μm nur unwesentlich dicker als ein menschliches Haar, bei monokristallinem Material reichen120 μm Drahtstärke. Dann geht es los – in den nächsten fünf bis sieben Stunden zerschneidet der hauchdünne Stahl-Kupfer-Draht mit beachtenswerter Präzision die harten Si-Blöcke. Dabei vollzieht der Draht in der Regel keine Pendelbewegung, die allgemein mit dem Begriff Sägen verbunden wird, sondern bewegt sich fortlaufend mit einer Geschwindigkeit von 10 bis 15 m/s durch das Material – also über 50 km/h. Und das auch nur einmal – ein aufwändiges Rollensystem sorgt dafür, dass der Draht nacheinander alle Sägekanäle durchläuft. »Für die acht Blöcke spannen wir normalerweise eine Rolle mit 400 km Draht ein«, sagt Thiel. Streng genommen kommt der Draht mit dem eigentlichen Si-Block nicht in Berührung. »Eigentlich ist das Wafersägen gar kein Sägen, sondern ein Trennläppen«, stellt Lawerenz richtig. Denn der Draht schneidet nicht in das Si-Material – dafür ist er viel zu weich. Die Sägestellen werden vielmehr mit einem Gemisch aus Glykol oder Öl und Siliziumcarbid-Körnern besprüht, bei den Waferfachleuten »Slurry« genannt. Dieses Siliziumcarbid ist eine Keramik und das eigentlich abrasive Medium – genauer gesagt: die großen Körner des Karbids. Denn nur sie berühren gleichzeitig den Sägedraht, der sich in einem winzigen Abstand zur Sägefläche bewegt, und das Siliziummaterial. Die Körner werden vom sich bewegenden Draht und Slurry erfasst und umgewälzt. Dabei reissen sie winzige Materialpartikel aus dem Si-Block. Auf diesem Wege kommt es innerhalb mehrerer Stunden zu einer Durchtrennung des Blockes. Der kürzeren Darstellung wegen und um sich dem allgemeinen Sprachgebrauch der Branche anzupassen, sei aber in der weiteren Darstellung vom »Sägen« die Rede.
Die genaue Betrachtung des Trennvorganges verdeutlicht, warum es auf die Zusammensetzung des sündhaft teuren Siliziumcarbids im besonderen Maße ankommt. Da nur die Körner zwischen 15 bis 25 μm Durchmesser an dem Trennvorgang beteiligt sind, muss durch Kontrollen im laufenden Prozess sichergestellt werden, dass genügend Karbidkörner dieser Größe vorhanden sind. Ihre Anzahl verringert sich nämlich durch die massive Gewalteinwirkung ständig: durch Abplatzungen werden sie kleiner. Etwa 10 % der Slurry muss aus diesem Grunde nach jedem Sägedurchgang ersetzt werden. Noch etwas anderes wird deutlich: Mikroskopisch betrachtet erfährt das Siliziummaterial brachiale Gewalt. Die großen Körner des Siliziumcarbids (SiC), die durch den durchjagenden Draht beschleunigt werden, benehmen sich wie ein Elefant im Porzellanladen. Sie wirken nämlich nicht nur in Trennrichtung – also Richtung des fortlaufenden Materialabtrags, sondern hinterlassen auch links und rechts vom Trennspalt eine wild zerklüftete Oberfläche mit tiefen Einkerbungen und Rissen. Das sind die berüchtigten »Sägeschäden«, die bei der Zellenprozessierung als erster Verfahrensschritt weggeätzt werden müssen – Damage-edging genannt. Vorrangig geht es darum, die Risse zu beseitigen, die zwar – anders als die Kantenrisse – nicht so sehr mechanisch als elektrisch ein Problem darstellen. Die Fachleute unterscheiden dabei zwischen den relativ harmlosen lateralen Rissen, die sich beim Eindruck des SiC-Kornes seitlich ins Si-Material ausdehnen und den Medianrissen, die in die Tiefe gehen. Medianrisse sind dabei tiefer als die Eindrücke der Körner, die beim Abrollen der Körner auf der Oberfläche der Wafer entstehen. Gelingt es nicht, diese Risse beim Damage-edging zu beseitigen, droht an den Rissgrenzen erhöhte Rekombination der freien Ladungsträger mit den Löchern. Außerdem ist mit einer erhöhten Anzahl von so genannten »Shunts« zu rechnen – unerwünschte lokale Kurzschlüsse. Beide Erscheinungen gehen zu Lasten des Wirkungsgrades einer Solarzelle, sind also in höchstem Maße unerwünscht.
Die Qualität eines Wafers hängt – außer von der Reinheit der Schmelze – im wesentlichen von den Sägeschäden ab beziehungsweise von der Möglichkeit, sie in nachgelagerten Verfahrensschritten zu beseitigen. Mit einer anderen Beeinträchtigung durch das Sägen kann man jedoch ganz gut leben: der Dickenabweichung. Die Zeit, die der Sägedraht in den Si-Blöcken verbringt, also seine Wirklebens- oder Standzeit, ist mit 20 Sekunden zwar extrem kurz, aber immer noch  lang genug, um Verschleisserscheinungen zu zeigen. Der Draht wird beim Durchlauf durch die Si-Blöcke – jeder mit etwa 500 Sägekanälen – nämlich dünner. In der Praxis bedeutet das, dass der Sägespalt in Richtung der Drahtbewegung abnimmt. Dazu kommen unterschiedliche Druckverhältnisse im Sägekanal und eine ungleiche Verteilung der SiC-Körner. »Wir haben festgestellt, dass sich die wichtigen großen Körner am Ein- und am Austritt des Drahtes in den Sägekanal häufen«, klärt Lawerenz auf. In der Mitte des Sägekanals sei die Verteilung eine andere. Diese Faktoren zusammen bedingen, dass der Wafer in Wirklichkeit nicht planparallel, sonder keilförmig geschnitten wird. Thiel gibt die Dickenabweichung durch den Verschleiß des Drahtes mit »einigen wenigen Mikrometern« an und beurteilt sie als vernachlässigbar. Eine Alternative wäre, den Sägedraht nicht fortlaufend, sondern in einer Pendelbewegung durch den Siliziumblock zu führen. »Das würde zwar die Dickenabweichungen verringern, aber zu größeren Sägespuren auf der Oberfläche führen«, urteilt Thiel. Er kann dieses Verfahren zwar anbieten, es wird jedoch so gut wie nie genutzt.7 m hoher, achteckiger EFG-Schmelztiegel: Die flüssige Si-Schmelze steigt durch die Kapillarkräfte im Spalt auf u. verfestigt sich an der Oberkante des Graphitteils zu einer dünnen Si-Röhre. Der obere Teil bewegt sich mit einer Geschwindigkeit von ca. 2cm/min nach oben und zieht weiteres Silizium nach. Foto: Schott Solar Neben dem Drahtverschleiß gibt es noch andere Faktoren, die beim Sägen eines Wafers zu Dickenabweichungen führen können. Das Messen der »Total-Thickness-Variation« gehört deshalb zu den Standardübungen jeder Wafer-Qualitätsprüfung.
Im Vergleich zu dem Endprodukt wirkt die konventionelle Waferfertigung durch das Drahtsägen beinahe schon archaisch – von High-Tech ist wenig zu spüren, Mechanik bestimmt den Prozess, die Slurry schmiert und spritzt. Erst nach diversen Reinigungsbädern zeigt der Wafer seine schöne Kristallstruktur und der Laie ahnt, dass er es hier mit einer Zukunftstechnologie zu tun hat. Der erste Eindruck ist aber nicht ganz falsch. Ob Trennläppen oder Sägen – der Prozess hat als Hauptnachteil genau den, der ins Auge springt: den exzessiven Materialverbrauch. Noch bevor die eigentliche Waferfertigung beginnt, sind durch das Abschneiden der Top-and-Tails schon bis zu 30 % des Materials verloren. Weitere Materialverluste stellen sich beim Quadrieren ein. Von dem verbleibendem Material schließlich geht durch das Trennen erneut über 40 % verloren, da der Sägespalt in der Regel 180 – 200 μm breit ist und die Waferdicke aktuell bei 240 μm liegt. Die Slurry ist zwar stark mit Silizium angereichert, bisher ist aber kein wirtschaftliches Verfahren bekannt, dass die Rückgewinnung des Siliziums aus diesem Trennschlamm erlaubt. Die Waferproduzenten behelfen sich zurzeit mit der Zwischenlagerung der ausgedienten Slurry, bis sich irgendwann das Recyceln lohnt. Lässt man außer Acht, dass Top-and-Tails in einem energieintensiven Verfahren recycelt werden können, muss man also feststellen, dass nur etwa ein Drittel des ursprünglich vorhandenen Siliziums tatsächlich in die Zellenproduktion einfließt. Für einen Waferfachmann wie Alexander Lawerenz vom SolarZentrum Erfurt ist dennoch das »Trennläppen zurzeit konkurrenzlos« und auch PV-Silicon-Mann Stefan Thiel betont: »Wir setzen auf die Technologie nicht ohne Grund. Sie birgt einfach das größere Potenzial.« Begründet wird diese Sichtweise von beiden mit einem in der Photovoltaik dämmebrechenden Argument: dem höheren Wirkungsgrad. Tatsächlich ist der Wirkungsgrad von Solarzellen, die aus gesägten Wafern hervorgegangen sind, rund 0,5 – 1 % absolut höher als bei konkurrierenden Verfahren.
Die Bezeichnung »konkurrierend« verdient eigentlich nur eine Technologie: Das Ziehen von Si-Folien nach dem EFG- und dem SR-Verfahren. EFG steht dabei für »Edge-defined Film-fed Groth« und SR für »String-Ribbon«. Von über vierzig verschiedenen Folienziehtechniken haben es allein diese beiden bis zur großindustriellen Anwendung gebracht. Als Protagonisten dieser Verfahren können die Unternehmen Schott Solar (EFG) sowie Evergreen (SR) gelten. Das EFG-Verfahren wurde in den USA für den Solarbereich vor etwa 20 Jahren entwickelt und hat 2003 Eingang in die Smart Solar Fab des Unternehmens Schott Solar – damals noch RWE Schott Solar – gefunden. Das Verfahren arbeitet mit der Kapillarkraft von flüssigem Silizium. In der Schmelze befindet sich ein Formteil aus Graphit, dessen wesentliches Element ein Spalt ist, in dem aufgrund der Kapillarkräfte flüssiges Silizium aufsteigt. Von oben nähert sich dem Spalt nun eine Keimfolie, bis sich ein so genannter Meniskus – bezeichnet die gekrümmte Oberfläche einer Flüssigkeit - ausbildet, der nach oben durch die Keimfolie und nach unten durch den Graphitspalt begrenzt wird. Nun wird die Keimfolie mit einer Geschwindigkeit von etwa 2 cm/min nach oben gezogen. An der Unterseite der Keimfolie erstarrt das flüssige Silizium zu einer Folie. Höhere Ziehgeschwindigkeiten führen zu starken Verspannungen und hohen Versetzungsdichten – das sind Gitterfehler im Kristall, die die elektrische Leitfähigkeit herabsetzen. Um das Verfahren optimal auszunutzen, hat der Graphitspalt in der Draufsicht die Form eines Achtecks, eines Oktagons. Bislang üblich sind in der Smart Fab Ziehhöhen von sieben Metern – es entsteht also Hohlkörper mit dem Querschnitt eines Oktagons, einer Kantenlänge von 125 mm und einer Wandstärke von aktuell 300 μm. Aus diesem Hohlkörper lassen sich nun mit einem Laser Siliziumscheiben im 5-Zoll-Format herausschneiden und als Wafer für die Zellenfertigung verwenden. Die Herstellung von EFG-Folien erfordert eine äußerst genaue Kontrolle der Temperatur. Die Siliziumschmelze darf nicht so kalt sein, dass bereits an der Oberkante des Formspaltes die Kristallisation einsetzt, aber andererseits kalt genug, um an der Keimfolie zu erstarren. Patric Geiger, der in seiner Dissertation an der Uni Konstanz den Ziehprozess eingehend untersuchte, gibt die erforderliche Temperaturstabilisierung mit +/- 1 Grad Celsius an – auch für erfahrenen Verfahrensingenieure ist das keine triviale Aufgabe.
Das grundlegende Prinzip des SR-Verfahrens versteht jeder, der schon einmal Seifenblasen fabriziert hat. Zwei hitzebeständige Drähte werden unter Argon-Atmosphäre durch ein Bad mit flüssigem Silizium gezogen. Dabei bildet sich zwischen den Drähten eine Siliziumhaut, die als fest-flüssige Grenzschicht wie eine Keimfolie wirkt. Der etwa 7 mm hohe Meniskus sorgt für einen stabilen Ziehprozess, der ähnlich wie der EFG-Prozess mit einer Geschwindigkeit von 1 bis 2 cm/min verläuft. Die Dicke der Folie hängt von der Geschwindigkeit ab, mit der die Drähte durch die Schmelze gezogen werden. Das SR-Verfahren hat 2001 die Politphase hinter sich gelassen und wird von Evergreen in industriellem Maßstab eingesetzt. Ein grundsätzlicher Vorteil gegenüber der EFG-Methode besteht in der geringeren Temperaturempfindlichkeit. Der SR-Prozess muss auf +/- 10 °C stabil gehalten werden – das ist immerhin eine Zehnerpotenz unempfindlicher als der EFG-Prozess. Trotz dieser relativ großen Toleranz ist das Abkühlprofl einer der entscheidenden Parameter des Verfahrens – immerhin verringert sich die Temperatur des Siliziums von 1.412 °C innerhalb kurzer Zeit auf Raumtemperatur. In dieser schnellen Abkühlung liegt die Hauptursache für Verspannungen, die zu unebenen Wafern und erhöhter Bruchanfälligkeit führen können. Außerdem ergeben sich durch variierende Prozessparameter unterschiedliche Materialdicken, die sich in einer welligen Oberfläche – mit bloßem Auge erkennbar – bemerkbar machen. Das gilt im Übrigen auch für das EFG-Verfahren. Die Produktivität des SR-Verfahrens ist geringer als die der EFG-Technik. Während bei letzterer ein Ofen acht Waferbänder erzeugt – nämlich die acht Seiten des Oktagons mit jeweils sieben Metern Länge – sind es bei SR-Verfahren lediglich zwei Bänder
So sehr sich EFG- und SR-Verfahren auch unterscheiden, haben sie doch den Hauptvorteil sowie den Hauptnachteil gemeinsam: Sie sparen einerseits in erheblichem Umfang Material ein, führen andererseits – wie bereits erwähnt – zu schlechteren Wirkungsgraden. Zum Materialverbrauch: »Es ist gut, eine Technologie zu haben, die nicht 50 % Materialkosten verursacht«, sagt etwa Unternehmenssprecher Stefan Dietrich vom Zellenproduzenten Q.Cells, der in einem Joint Venture mit Evergreen das SR-Verfahren in Deutschland etablieren will. Ähnlich äußert sich Winfried Hoffmann, Generalbevollmächtigter der Schott Solar GmbH, die in Alzenau die Smart Fab mit einer EFG-Produktion betreibt: »Der große Vorteil dieses Prozesses liegt in der Materialeinsparung. Wir verbrauchen rund 30 % weniger Material als die gesägten Waferscheiben. Hinzu kommt, dass der Prozess schneller abläuft.« Zu den elektrischen Eigenschaften: So unbestritten wie die Vorteile im Materialeinsatz sind auch die Nachteile der Folienziehverfahren, wenn es um den erreichbaren Zellen-Wirkungsgrad geht. Das Defizit sei verfahrensimmanent, erklärt Waferfachmann Lawerenz: »Der gegenüber Czochralski-Silizium niedrigere Wirkungsgrad resultiert aus der hohen Defektkonzentration im Foliensilizium. Das wiederum lässt sich mit Einfluss der Fremdmaterialien im Verfahren erklären.« Flüssiges Silizium ist hochreaktiv und stürzt sich begierig auf das Material, mit dem es in den Ziehverfahren in Berührung kommt. So weisen EFG-Wafer unerwünscht hohe Kohlenstoffanteile auf, die aus der verwendeten Graphitform herrühren. Ähnliches gilt für die beim SR-Verfahren verwendeten Ziehdrähte, die für Verunreinigungen und sowie verschiedene Korndichten des Si-Materials verantwortlich sind.
Somit reduziert sich der Systemvergleich auf eine simple Überlegung: Wiegt die Materialeinsparung der Folienziehverfahren den geringeren Wirkungsgrad auf? Und: Wie groß ist das Potenzial der konkurrierenden Verfahren. Daran, dass beim Sägen von Czochralski-Material jede Menge Silizium im wahrsten Sinnen des Wortes verpulvert wird, wird sich nichts Grundlegendes ändern. Die Verfechter dieser Technologie setzen aber auf die Entspannung auf den Rohstoffmärkten. »Immer kann das Silizium nicht so knapp und teuer bleiben«, heißt es bei einem großen Waferproduzenten, »wenn sich die Lage beim Rohsilizium normalisiert, dann spielt die Materialeinsparung keine große Rolle mehr. Dann zählt die erzielbare elektrische Performance.« Hoffmann hingegen sieht die Schere zwischen beiden Technologien in der Rohstofffrage weiter auseinander gehen. Er hält es für möglich, die Materialeinsparung gegenüber dem Sägen innerhalb der nächsten 20 Jahre auf bis zu 50 % zu steigern. Zu erreichen wäre dies mit noch größeren Oktagon-Durchmessern und dünneren Wafern. »Wir arbeiten intensiv auf 200 μm Waferdicke in der Serienproduktion hin«, sagt Hoffmann, »aber bis dahin wird es wohl noch drei bis vier Jahre dauern.« Das Verfahren habe das Potenzial, so der Schott Solar-Geschäftsführer, den spezifischen Si-Verbrauch von derzeit 10 g/Wp bis zum Jahre 2020 auf nur noch 4g/Wp zu senken. Der konventionellen Waferfertigung traut Hoffmann Vergleichbares nicht zu. Hinsichtlich der erreichbaren Abmessungen sieht Hoffmann »sein« Material nicht im Nachteil, sondern gleichauf mit den gesägten Wafern: »Wir können 100 μm Materialdicke erreichen.« Dem Forschungsbedarf in Sachen elektrischer Eigenschaften ist sich Hoffmann bewußt: »Das EFG-Material zeigt eine starke Variation der Lebensdauer der Minoritätsträger, außerdem einen geringeren Wirkungsgrad. Beides zu verbessern, ist das Ziel unserer momentanen Forschungsanstrengungen.« Sollte das gelingen, dürfte das Folienziehverfahren sich durchsetzen – das Materialargument wiegt schwerer, als es die Czochralski-Verfechter momentan wahrhaben wollen. Ohne eine vergleichbare, elektrische Performance aber könnte dieser Vorteil von EFG und SR auf lange Sicht seine Wirkung verlieren.
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